集成电路制造

U19E00900

　　1. 清洗工艺实验

　　硅片清洗常用物理清洗和化学清洗两种方法。物理清洗主要是刷洗、去离子水冲洗和超声波清洗，去除硅片表面吸附的杂质和颗粒。化学清洗是以酸性、碱性溶液和硅片表面沾污的杂质(如有机物、离子、金属等)发生氧化、络合等化学反应，产生溶于去离子水的物质，再用去离子水冲洗去掉杂质。

　　分子型杂质主要是指油脂、树脂、光刻胶、有机试剂残留等有机物质，在硅片表面以颗粒或者膜状形式存在，阻碍化学溶液、去离子水对硅片表面的清洗，因此硅片清洗时首先要去掉它们，然后再进行离子型杂质和原子型杂质的清洗。

　　去除分子型杂质使用浓硫酸/过氧化氢7：3(体积比)的混合液(3#清洗液)完成。，清洗方法是在125℃温度下，硅片浸泡在3#清洗液中10～20min，使有机物碳化脱附、金属氧化，然后用大量去离子水冲洗。

　　例如Cu+H2SO4+H2O2=CuSO4+2H2O

　　氢氧化铵/过氧化氢/去离子水1：1：5混合溶液(1#液)也去除分子型杂质，过氧化氢的氧化作用也可以使有机物碳化脱附，还可以和Cu、Ag、Zn、Ni、Gr等金属离子发生络合反应，生成可溶性的络合物。

　　例如Cu2+ + 4NH3·H2O = [Cu(NH3)4]2+ + 4H2O

　　Ag+ + 2NH3·H2O = [Ag(NH3)2]+ + 2H2O

　　离子沾污因为化学吸附性较强，很难去除，一般使用盐酸/过氧化氢/去离子水1：1：6混合溶液(2#液)，在75 ℃  ～85℃温度下浸泡10～20分，去除硅片表面的金属离子、不溶于水的氢氧化物(Al(OH)3、Fe(OH)3、Zn(OH)2)，和没有完全脱附的金属杂质。

　　例如 Fe(OH)3+HCl=FeCl3+H2O

　　Cu + 2HCl + H2O2 == CuCl2 + 2H2O

　　硅片的自然氧化层用氢氟酸/去离子水1：50的混合液去除，将硅片浸入氢氟酸溶液中，硅片表面由亲水性变成疏水性，表明硅片表面的二氧化硅完全去除了。扩散工艺产生的硼硅玻璃、磷硅玻璃也可以用这个方法去除。

　　SIO2+4HF=SIF4↑+2H2O

　　2. 氧化工艺室验

　　氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。

　　氧化的温度范围为700—1200℃，氧化层的厚度取决于氧化温度、氧化时间和氧化的方式。氧化温度越高，反应速率越快;相同温度下，氧化时间越长，氧化层的厚度越厚;氧化的方式分为干氧氧化、湿氧氧化和水汽氧化。三种常规热氧化的特点见表  1

　　表1三种常规热氧化及特点

　　如果需要的氧化层较厚，通常采用干氧-湿氧-干氧的氧化方式。而对于MOS器件的栅氧部分，由于需要的氧化层很薄，又要求质量很好，需要采用干氧氧化的氧化方式。

　　最后需要说明的是，在硅片表面长一层

　　薄膜后，由于光的干涉作用，通过肉眼可明显看出颜色变化，氧化层表面的颜色随厚度变化，见表2  。但是氧化层颜色随厚度的增加呈周期性变化。对应同一种颜色，可能有几个不同的厚度，还需要结合具体的工艺条件判断出具体的厚度。此方法只适用于氧化膜厚度在1μm以下的情况。注意，表中所列的颜色，是照明光源与眼睛均垂直于硅片表面时所观测的颜色。

　　表2 通过颜色的不同可估算SiO2层厚度

　　3. 扩散工艺实验

　　扩散是将一定数量和一定种类的杂质掺入到硅片或其它晶体中去，以改变电学性质。掺入的杂质数量和分布情况都满足要求的工艺过程。扩散是半导体掺杂技术之一。在实际扩散工艺中，扩散需分以下两步完成：首先，在较低温度和较短时间内，在衬底表面预沉积一层高浓度杂质原子。这一步为恒定表面浓度的扩散，扩散深度很浅，目的是得到一固定的掺杂总量，扩散后杂质浓度分布满足余误差分布，见图2.3.1(a);第二步是把预沉积阶段掺入样品表面的杂质在高温下进一步扩散(称为主扩散或再分布)，其目的是将杂质推人半导体内部,扩散的温度高，时间长，以控制扩散深度和表面浓度，此阶段近似为有限源扩散。扩散后杂质浓度分布满足高斯分布，见图2.3.1(b)。

　　(a)恒定表面源扩散浓度分布曲线 (b)有限源扩散浓度分布曲线

　　图2.2 两种扩散类型的浓度分布曲线

　　常见杂质B和P的扩散原理

　　在硅基器件平面扩散工艺中，B作为受主杂质、P作为施主杂质被广泛使用。按照杂质源的状态，可以分为液态源扩散、固态源扩散等。

　　所生长的SiO2由于含有杂质B或P，分别被称为硼硅玻璃或磷硅玻璃。

　　固态源扩散方法具有操作简单、重复性和均匀性好、无毒和对石英管无腐蚀作用等优点。扩散的核心方程式还是以上两个方程式。

　　4. 光刻工艺实验

　　光刻是将掩膜版上的图形经过曝光系统复印在晶圆表面的光敏薄膜上。紫外光透过掩膜版使光敏材料感光而发生光化学变化，产生溶解性不同的区域，再经过碱性物质为主要成分的显影液处理后形成所需图形。

　　光刻工艺包括正胶光刻和负胶光刻，两种光刻的区别在于曝光区域与未曝光区域的光刻胶和显影液如何反应。正胶光刻是紫外光透过掩膜版，被紫外光曝光区域发生光化学反应后溶于显影液，不透光区域的光刻胶不溶于显影液，仍保留在晶圆表面，形成与掩膜版相同的图形;负胶光刻则是紫外光透过掩膜版，被紫外光曝光区域光刻胶发生交联而硬化，不溶于显影液，不透光区域光刻胶溶于显影液，显影后形成于掩膜版相反的图形。

　　光刻工艺分为八个基本步骤：表面处理、涂胶、软烘、对准曝光、曝光后烘焙、显影、坚膜和显影后检查。

　　5. 二氧化硅薄膜刻蚀

　　二氧化硅是半导体工业中应用非常广泛的材料，在集成电路制作过程中，它可以阻止杂质扩散，这就提供了选择扩散的可能，因此有选择地刻蚀掉某些部分的二氧化硅，可以实现选择性的区域扩散。此外，二氧化硅是良好的绝缘体，在集成电路制作过程起着隔阻元件之间的不必要的导通。因此，二氧化硅薄膜的刻蚀是集成电路制造中不可少的工艺。

　　在刻蚀反应过程中，有HF电离成H+和F-，其中六个氟离子结合一个硅离子生成六氟硅根络离子(SiF6)2-  ，然后与氢离子结合生成氟硅酸(H2SiF6)，同时氢离子与二氧化硅中的氧结合生成水，这是典型的酸性氧化物与酸的反应。且反应生成的六氟硅酸在水溶液中可溶性的，因此上式反应平衡向右移动，使得反应不断的进行，因此，根据化学反应式的平衡理论，反应式中的H+和F-的浓度越大，反应的速度就越快。随着反应的进行，溶液中的H+和F-的浓度会不断的下降，结果会导致刻蚀速率的不可控制，以及刻蚀终点的难以把握。因此，为了克服这个缺点，常常采用BOE缓冲溶液代替HF作为二氧化硅的湿法刻蚀试剂，BOE是由HF：NH4F=1：6的成分混合而成，HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。其缓冲原理是因为溶液中的NH4F能起着固定〔H+〕的浓度的作用，从而使之保持一定的刻蚀速率，由于溶液中含有大量的F-离子，因此导致电离平衡式向左边移动，即向生成HF的方向移动，从而降低了H+的浓度，而当反应中消耗掉一定量的H+的时候，又会被及时补充，因此缓冲溶液能起着固定H+的浓度的作用，从而保证刻蚀速率的可控。

　　此外，由于刻蚀速率还受到温度的影响，刻蚀溶液的温度越高刻蚀速率越大，因此本实验采用恒温水浴刻蚀溶液，使得刻蚀反应在恒温下进行，从而达到刻蚀的可控性。

　　一般说来，不同致密性结构的二氧化硅，其刻蚀速率则不尽相同，如热氧化生长的二氧化硅分为水蒸汽中氧化和干氧氧化两种，而前者的刻蚀速率则稍快一点。二氧化硅所含的杂质种类及杂质的含量均会影响刻蚀速率，如高浓度的硼会导致刻蚀速率的降低，相反，高浓度的磷会加快刻蚀速率。此外，离子注入产生缺陷会加快二氧化硅的刻蚀速率。

　　6. 晶圆级二极管性能测试实验

　　二极管的主要性能参数包括正向导通电压和反向击穿电压等。正向导通电压是二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降，用VF表示。反向击穿电压是反向电流突然增大，二极管发生击穿时的电压，用VB表示。图1为二极管测试原理图。

　　图1基本测试原理电路 图2 二极管伏安特性曲线

　　通过晶体管图示仪可以获得二极管的伏安特性曲线，如图2所示。二极管的正向导通电压和反向击穿电压可以从二极管伏安特性曲线直接读出。