集成电路制造

U20E00700

关键词：集成电路设计，制造与封装

所属类别：电子信息类

（一）内容介绍

金属有机物气相外延，MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或低压(10-100Torr)下通H₂的冷壁石英(不锈钢)反应室中进行，衬底温度为500-1200℃,用直流加热石墨基座(衬底基片在石墨基座上方)，H₂通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。

（1） 紫外探测器焦平面阵列芯片先进封装--材料生长、掺杂模块

（2） 紫外探测器焦平面阵列芯片先进封装虚拟仿真实验-光刻模块

（3） 紫外探测器焦平面阵列芯片先进封装虚拟仿真实验-刻蚀模块

（4） 紫外探测器焦平面阵列芯片先进封装虚拟仿真实验-电极沉积模块

（5） 紫外探测器焦平面阵列芯片先进封装虚拟仿真实验-剥离及封装模块

（二）实验的特色和亮点

1．对实体实验规律进行仿真模拟：基于实体实验过程，对实验中的实验条件，工艺参数进行了模拟设置，基于科研实验过程中收集到的数据及计算模拟，在实验后台程序中嵌入符合规律的数学模型或物理模型，仿真模拟本实验核心影响因素，并在实验结果，在虚拟仿真实验操作过程中，系统会按照真实规律，对不同的参数设定或操作给出符合事实规律的反馈或结果，包括可能导致实验失败的结论，不同的实验现象，以及不同条件下得到的不同的样品的测试结果。

2．对加工制造过程的理论机理变化规律进行模拟仿真：在已经成型的科研理论研究中对微观机理进行了科学客观的描述，在每个实验模块的进行过程中将科学理论通过形象的三维形式进行了再现，同时会根据实际实验条件、参数的不同进行了相应的变化，如针对刻蚀过程中对时间的把握上会出现欠刻或者过刻，进而导致可能的成功或者失败，客观体现了对象的理论模型，对微观不可见及客观存在的机理过程进行形象的阐述。

3．对科研实验全过程进行模拟仿真：将整体科研实验的全过程，包括实验室环境、实验仪器设备、实验过程中使用到的仪器、药品、材料、实验过程中产生的现象等等，全部完整加工过程的模拟，有效地解决实际实验过程中由于实验周期长，实验过程环境要求高等问题导致的在教学过程中，无法让学生完整的进行实验操作的问题。