物理

实验编号：U20E00100

（一）内容介绍

（1）电极面积的测量及计算

（2）实验准备

（3）C-V法测定SiO₂厚度

（4）C-V法测定硅片表面掺杂浓度

（5）计算MOS结构的平带电容

（6）C-V法测定SiO₂中固定电荷及可动电荷密度

（7）界面态

（8）实验结束

（二）实验的特色和亮点

（1）对实际实验规律进行仿真：对实际实验过程中的实验条件，实验参数设置进行了模拟，基于大量实际实验收集到的数据，推导出该实验中的核心影响因素变化对实验结果的影响规律，在实验后台程序中嵌入符合规律的数学模型或物理模型，在虚拟仿真实验操作过程中，系统会按照真实规律，对不同的参数设定或操作给出符合事实规律的反馈或结果。

（2）对理论微观机理的变化规律进行模拟仿真：在已经成型的科研理论研究中对微观机理进行了科学客观的描述，在每个实验模块的进行过程中将科学理论通过形象的三维形式进行了再现，同时会根据实际实验条件、参数的不同进行了相应的变化，客观体现了对象的理论模型，对微观不可见及客观存在的机理过程进行形象的阐述。

（3）对科研实验全过程进行仿真模拟：将整体科研实验的全过程，包括实验室环境、实验仪器设备、实验过程中使用到的仪器药品材料、实验过程中的现象等等，全部完整的模拟，有效地解决实际实验过程中由于实验周期长，实验过程环境要求高等问题导致的在教学过程中，无法让学生完整的进行实验操作的问题。